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BTD2098N3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTD2098N3
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内容描述: 低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 170 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
低VCESAT NPN外延平面晶体管
规格。编号: C847N3
发行日期: 2003年7月2日
修订日期: 2004年7月1日
页页次: 1/4
BTD2098N3
特点
低V
CE
(SAT) ,V
CE
(SAT) = 0.35 V(典型值) ,在我
C
/ I
B
= 3A / 0.1A
优良的直流电流增益特性
补充BTB1386N3
符号
BTD2098N3
概要
SOT-23
B:基本
C:收藏家
E:发射器
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
功耗
热阻,结到环境
结温
储存温度
注:单脉冲PW ≦ 350μS ,占空比≦ 2 % 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
R
θJA
Tj
TSTG
范围
40
20
7
5
8
(注)
225
556
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
mW
° C / W
°C
°C
BTD2098N3
CYStek产品规格