BTD2150N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD2150N3
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内容描述：	低VCE （ SAT） NPN外延平面晶体管 [Low VCE(sat) NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 173 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低V

CE （ SAT ）

NPN外延平面晶体管

规格。编号： C848N3 -A

发行日期： 2004年3月26日

修订日期： 2004年11月8日

页页次： 1/4

BTD2150N3

特点

•

低V

CE （ SAT ）

通常在0.25V我

/ I

= 2A / 0.1A

•

出色的电流增益特性

•

补充BTB1424N3

符号

BTD2150N3

概要

SOT-23

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

热阻，结到环境

结温

储存温度

注： 1。单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％。

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

TSTG

极限

（注1 ）

225

556

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTD2150N3

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