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BTD2195M3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTD2195M3
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 167 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
NPN外延平面晶体管
规格。编号: C654M3
发行日期: 2003年7月16日
修订日期: 2005年3月11日
页页次: 1/4
BTD2195M3
描述
该BTD2195M3被设计为在通用放大器和低速切换使用
应用程序。
等效电路
BTD2195M3
B
C
概要
SOT-89
E
B:基本
C:收藏家
E:发射器
B权证
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
范围
130
120
5
4
6
(注1 )
0.6
1
(注2 )
2
(注3)
208
125
(注2 )
62.5
(注3)
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
R
θJA
Tj
TSTG
注: 1。单脉冲PW ≦ 350μS ,占空比≦ 2 % 。
2.当安装在FR-4印刷电路板与测量面积10×10 ×1毫米。
3.当安装在陶瓷板面积测量40 ×40× 1毫米。
BTD2195M3
CYStek产品规格