BTD5213M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD5213M3
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内容描述：	NPN外延平面晶体管 [NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 150 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

NPN外延平面晶体管

规格。编号： C310M3

发行日期： 2003年6月27日

修订日期：

页页次： 1/3

BTD5213M3

特点

•

高V

首席执行官

, V

首席执行官

=80V

•

高I

, I

C（ DC ）

=1A

•

低V

（SAT）

•

良好的电流增益线性度

•

补充BTB1260M3

符号

BTD5213M3

概要

SOT-89

B：基本

C：收藏家

E：发射器

B权证

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

功耗

符号

CBO

首席执行官

EBO

极限

100

（注1 ）

0.6

（注2 ）

（注3）

208

125

（注2 ）

62.5

（注3）

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

热阻，结到环境

结温

储存温度

θJA

TSTG

注： 1。单脉冲PW ≦ 350μS ，占空比≦ 2 ％。

2.当安装在FR-4印刷电路板与测量面积10×10× 1毫米

3.当安装在陶瓷领域的测量40 ×40× 1毫米

BTD5213M3

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