BTD965A3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTD965A3
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内容描述：	低VCESAT NPN外延平面晶体管 [Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 146 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低VCESAT NPN外延平面晶体管

规格。编号： C847A3

发行日期： 2003年4月1日

修订日期：

页页次： 1/4

BTD965A3

特点

•

低V

（SAT），低V

（SAT） = 0.35 V（典型值），在我

/ I

= 3A / 0.1A

•

优良的直流电流增益特性

•

补充BTB1386A3

等效电路

BTD965A3

TO-92

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC （ CP ）

TSTG

范围

0.75

150

-55~+150

单位

A（ DC ）

A（脉冲）

°C

注意：

* 1 。单脉冲PW

≦

380us,Duty

≦

2%.

BTD965A3

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