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    BTN5551N3 参数 Datasheet PDF下载

    BTN5551N3图片预览
    型号： BTN5551N3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用NPN外延平面晶体管 [General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 153 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTN5551N3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTN5551N3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTN5551N3的Datasheet PDF文件第4页  
    CYStech电子股份有限公司
    通用NPN外延平面晶体管
    规格。编号： C208N3 -H
    发行日期： 2003年6月6日
    修订日期：
    页页次： 1/4
    BTN5551N3
    描述
    该BTN5551N3是专为一般用途的应用需要高击穿电压。
    特点
    •
    高集电极 - 发射极击穿电压。 （ BV
    首席执行官
    = 160V @我
    C
    =1mA)
    •
    补充BTP5401N3
    符号
    BTN5551N3
    概要
    SOT-23
    B：基本
    C：收藏家
    E：发射器
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    功耗
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    Pd
    Tj
    TSTG
    范围
    180
    160
    6
    600
    225
    150
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    BTN5551N3
    CYStek产品规格

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