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    BTP6520N3 参数 Datasheet PDF下载

    BTP6520N3图片预览
    型号： BTP6520N3
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    内容描述： 高电压PNP外延平面晶体管 [High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 147 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号BTP6520N3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BTP6520N3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BTP6520N3的Datasheet PDF文件第4页  
    CYStech电子股份有限公司
    高电压PNP外延平面晶体管
    规格。编号： C321N3
    发行日期： 2003年4月12日
    修订日期：
    页页次： 1/4
    BTP6520N3
    特点
    •
    高击穿电压： BVCEO≥ - 350V
    •
    补充BTN6517N3
    符号
    BTP6520N3
    SOT-23
    B：基本
    C：收藏家
    E：发射器
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    功率耗散@ TA = 25 ℃
    结温
    储存温度
    符号
    VCBO
    VCEO
    VEBO
    IC
    Pd
    Tj
    TSTG
    范围
    -350
    -350
    -5
    -500
    225
    150
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    BTP6520N3
    CYStek产品规格

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