BTP8550N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BTP8550N3
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内容描述：	低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low VCESAT PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 159 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

低V

CESAT

PNP外延平面晶体管

规格。编号： C313N3 -H

发行日期： 2003年9月26日

修订日期：

页页次： 1/4

BTP8550N3

特点

•

低V

CE （ SAT ）

， -0.18V （典型值），在我

=-500mA/I

=-50mA

•

补充BTN8050N3

符号

BTP8550N3

概要

SOT-23

B：基本

C：收藏家

E：发射器

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

热阻，结到环境

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

θJA

TSTG

范围

-30

-20

-5

-1

225

556

150

-55~+150

单位

° C / W

°C

BTP8550N3

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