HBN2411S6R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HBN2411S6R
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内容描述：	通用NPN外延平面晶体管 [General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 191 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

通用NPN外延平面晶体管

规格。编号： C203S6R

发行日期： 2003年9月12日

修订日期： 2005年3月30日

页页次： 1月5日

（双晶体管）

HBN2411S6R

特点

•

两个BTC2411chips采用SOT- 363封装。

•

安装可能与SOT -323自动装配机器。

•

晶体管元件是独立的，从而消除干扰。

•

安装成本和面积可减少一半。

•

高I

C（最大值）

. I

C（最大值）

= 0.6A

•

低V

CE （ SAT ）

， TYP 。 V

CE （ SAT ）

=我在0.2V

= 500毫安/ 50毫安

最适用于低电压操作

•

补充HBP1036S6R

等效电路

HBN2411S6R

概要

SOT-363R

Tr1

Tr2

以下特征同时适用于Tr1和Tr2

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

注：每件为150mW不得超过

HBN2411S6R

CYStek产品规格

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

0.6

200(total)

（注）

150

-55~+150

单位

°C

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