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    HBN2412S6R 参数 Datasheet PDF下载

    HBN2412S6R图片预览
    型号： HBN2412S6R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用NPN外延平面型晶体管（双晶体管） [General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistors (dual transistors)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 179 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号HBN2412S6R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HBN2412S6R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HBN2412S6R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HBN2412S6R的Datasheet PDF文件第5页  
    CYStech电子股份有限公司
    通用NPN外延平面晶体管
    规格。编号： C202S6R
    发行日期： 2003年6月11日
    修订日期： 2006年1月19日
    页页次： 1/5
    （双晶体管）
    HBN2412S6R
    特点
    •
    两个BTC2412芯片采用SOT- 363R包。
    •
    安装可能与SOT -323自动装配机器。
    •
    晶体管元件是独立的，从而消除干扰。
    •
    安装成本和面积可减少一半。
    •
    较低的玉米棒。典型值。 COB = 2.0pF
    •
    补充HBP1037S6R
    •
    无铅封装
    等效电路
    HBN2412S6R
    概要
    SOT-363R
    Tr1
    Tr2
    以下特征同时适用于Tr1和Tr2
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    功耗
    结温
    储存温度
    注：每件为150mW不得超过
    .
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    Pd
    Tj
    TSTG
    范围
    60
    40
    6
    200
    200(total)
    150
    -55~+150
    （注）
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    HBN2412S6R
    CYStek产品规格

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