HBP2907S6R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HBP2907S6R
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内容描述：	通用PNP外延平面型晶体管（双晶体管） [General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors(dual transistors)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 194 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

通用PNP外延平面晶体管

规格。编号： C317S6R

发行日期： 2006年11月8日

修订日期：

页页次： 1/5

（双晶体管）

HBP2907S6R

特点

•

两个BTP2907芯片采用SOT- 363封装。

•

安装可能与SOT -323自动装配机器。

•

晶体管元件是独立的，从而消除干扰。

•

安装成本和面积可减少一半。

•

优秀ħ

线性度。

•

补充HBN2222S6R 。

•

无铅封装

等效电路

HBP2097S6R

概要

SOT-363R

Tr1

Tr2

以下特征同时适用于Tr1和Tr2

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

-60

-5

-600

200

（总）

150

-55~+150

单位

°C

（注）

注：每件为150mW不得超过。

HBP2907S6R

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