HBP3906S6R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HBP3906S6R
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内容描述：	双路通用PNP晶体管 [Dual General Purpose PNP Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 149 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

双路通用PNP晶体管

规格。编号： C318S6R

发行日期： 2003年4月11日

修订日期：

页页次： 1/4

HBP3906S6R

描述

该HBP3906S6R是分拆的我们流行的SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。这是

设计用于通用放大器应用和被收纳在SOT - 363R六含铅

表面贴装封装。通过将两个分立器件在一个封装内，该器件是理想的

针对低功耗表面贴装应用中的电路板空间非常珍贵。

特点

•

HFE ， 100--300

•

低VCE （SAT），

≤0.4V

•

简化网络连接的ES电路设计

•

减少了电路板空间。

•

减少了元件数量

等效电路

HBP3906S6R

SOT-363R

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总包耗散@ TA = 25 ℃

结温

储存温度

符号

VCBO

VCEO

VEBO

TSTG

范围

-40

-5

-200

150

（注1 ）

150

-55~+150

单位

°C

注1 ：设备安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用面积测量1.0

0.75

0.062英寸

HBP3906S6R

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