MEN09N03BJ3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MEN09N03BJ3
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内容描述：	N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 256 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET

规格。编号： C430J3

发行日期： 2008.10.20

修订日期： 2009.02.04

页页次： 1/7

MEN09N03BJ3

特点

•

= 30V ，我

= 50A ，R

DS （ ON）

=9mΩ

•

低栅电荷

•

简单的驱动要求

•

符合RoHS标准的封装

•

额定重复性雪崩

•

快速开关特性

DSS

30V

50A

DSON

9mΩ

符号

MEN09N03BJ3

概要

TO-252

G：门

D：漏

S：源

摹ð S

绝对最大额定值

=25°C)

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

=25°C

连续漏电流@ T

=100°C

漏电流脉冲

雪崩电流

雪崩能量@ L = 0.1mH ，我

=37.5A,Rg=25Ω

重复性雪崩能量@ L = 0.05mH

功率耗散（T

=25℃)

功率耗散（T

=100℃)

工作结温和存储温度

TJ ， TSTG

±20

140 *1

37.5

15 *2

-55~+175

°C

100 ％ UIS测试的V条件

= 15V ， L = 0.1mH ，V

= 10V ，我

= 25A ，额定V

= 25V N-CH

注： * 1

脉冲宽度有限的最高结温

* 2 。值班cycle≤1 ％

MEN09N03BJ3

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