MTB06N03J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTB06N03J3
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 303 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C441J3

发行日期： 2009.03.02

修订日期：

页页次： 1/7

MTB06N03J3

特点

DSS

DS （ ON）

30V

80A

6mΩ

•

100 ％ UIS测试， @V

= 15V ， L = 0.1mH ，V

= 10V ，我

= 40V ，额定V

= 25V N-CH

•

简单的驱动要求

•

额定重复性雪崩

•

快速开关特性

•

符合RoHS标准的封装&无卤封装

符号

MTB06N03J3

概要

TO-252

G：门

D：漏

S：源

摹ð S

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

=25°C

连续漏电流@ T

=100°C

漏电流脉冲

（注1 ）

雪崩电流

雪崩能量@ L = 0.1mH ，我

= 53A ，R

=25Ω

重复性雪崩能量@ L = 0.05mH

（注2 ）

总功率耗散@ T

=25℃

总功率耗散@ T

=100℃

工作结存储温度范围

注：1，脉冲宽度有限的最高结温

2.占空比

≤

MTB06N03J3

TJ ， TSTG

±20

170

140

-55~+175

°C

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