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    MTB09N04H8 参数 Datasheet PDF下载

    MTB09N04H8图片预览
    型号： MTB09N04H8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MTB09N04H8 CYStek产品规格 [MTB09N04H8 CYStek Product Specification]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 350 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MTB09N04H8的Datasheet PDF文件第9页  
    CYStech电子股份有限公司
    绝对最大额定值
    (Ta=25°C)
    参数
    符号
    规格。编号： C892H8
    发行日期： 2013年2月1日
    修订日期：
    页页次： 2/10
    范围
    单位
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流@ T
    C
    = 25 ° C，V
    GS
    =10V
    连续漏电流@ T
    C
    = 100℃ ，V
    GS
    =10V
    连续漏电流@ T
    A
    = 25 ° C，V
    GS
    =10V
    连续漏电流@ T
    A
    = 70℃ ，V
    GS
    =10V
    漏电流脉冲
    雪崩电流
    雪崩能量@ L = 1MH ，我
    D
    = 16A ，R
    G
    =25Ω
    重复性雪崩能量@ L = 0.05mH
    T
    C
    =25℃
    总功耗
    T
    C
    =100℃
    工作结存储温度范围
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    AS
    E
    AS
    E
    AR
    P
    D
    TJ ， TSTG
    40
    ±20
    60
    38
    8.6
    *3
    6.9
    *3
    140
    *1
    16
    128
    5
    *2
    50
    30
    -55~+150
    V
    A
    mJ
    W
    °C
    热数据
    参数
    热阻，结到外壳，最大
    热阻，结到环境，最大
    符号
    R
    日，J -C
    R
    次，J -一
    价值
    2.5
    50
    *3
    单位
    ° C / W
    ° C / W
    注：1，脉冲宽度有限的最高结温
    2.责任cycle≤1 ％
    3.表面安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜垫， 125 ° C / W安装在最小的铜垫时，
    特性（T
    C
    = 25 ℃，除非另有规定）
    符号
    STATIC
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    G
    FS
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    动态
    西塞
    科斯
    CRSS
    MTB09N04H8
    分钟。
    40
    1
    -
    -
    -
    -
    60
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    2.1
    18
    -
    -
    -
    -
    6
    10
    3252
    183
    155
    马克斯。
    -
    3
    -
    ±
    100
    1
    25
    -
    8
    13
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    S
    nA
    μA
    A
    m
    Ω
    m
    Ω
    测试条件
    V
    GS
    =0, I
    D
    =250μA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =250μA
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    =10A
    V
    GS
    =
    ±
    20
    V
    DS
    =40V, V
    GS
    =0
    V
    DS
    =40V, V
    GS
    = 0 ， TJ = 125°C
    V
    DS
    =10V, V
    GS
    =10V
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =10A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =8A
    *1
    *1
    *1
    pF
    V
    GS
    =0V, V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz的
    CYStek产品规格

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