MTB16P04J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTB16P04J3
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 336 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

P沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C706J3

发行日期： 2009.04.23

修订日期：

页页次： 1/7

MTB16P04J3

特点

•

低栅电荷

•

简单的驱动要求

•

符合RoHS标准&无卤封装

DSS

DSON （最大）

-40V

-25A

16mΩ

等效电路

MTB16P04J3

概要

TO-252

G：门D：漏极

S：源

摹ð S

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

=25°C

连续漏电流@ T

=100°C

漏电流脉冲

雪崩电流

雪崩能量@ L = 0.1mH ，我

= -25A ，R

=25Ω

重复性雪崩能量@ L = 0.05mH

总功率耗散@T

=25℃

总功率耗散@T

=100℃

工作结存储温度范围

注： * 1

脉冲宽度有限的最高结温

* 2 。占空比

≤

MTB16P04J3

TJ ， TSTG

-40

±20

-25

-18

-100

-25

31.25

-55~+175

°C

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