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    MTBA5N10Q8 参数 Datasheet PDF下载

    MTBA5N10Q8图片预览
    型号： MTBA5N10Q8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET [N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 308 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MTBA5N10Q8的Datasheet PDF文件第9页  
    CYStech电子股份有限公司
    典型特征（续）
    电容VS漏 - 源极电压
    V
    GS （ TH）
    ，归一化门限电压
    10000
    西塞
    规格。编号： C731Q8
    发行日期： 2013年7月19日
    修订日期：
    页页次： 5/9
    NormalizedThreshold电压VS结Tempearture
    1.4
    I
    D
    =250
    μ
    A
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    ---电容（PF ）
    1000
    100
    C
    OSS
    CRSS
    10
    0.1
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    100
    -60
    -20
    20
    60
    100
    140
    TJ ，结温（ ° C）
    正向转移导纳VS漏电流
    10
    G
    FS
    ，正向转移导纳（ S）
    V
    GS
    ，栅源电压（ V）
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0.01
    0.1
    1
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    0
    栅极电荷特性
    V
    DS
    =50V
    I
    D
    =3A
    1
    0.1
    V
    DS
    =5V
    脉冲
    Ta=25°C
    0.01
    0.001
    5
    10
    15
    总栅极电荷---的Qg （ NC）
    最大漏极电流与结温
    20
    最大安全工作区
    100
    R
    DS （ ON）
    极限
    4.5
    I
    D
    ，最大漏极电流（ A）
    4
    3.5
    3
    2.5
    2
    1.5
    1
    0.5
    0
    25
    T
    A
    = 25 ° C，V
    GS
    = 10V ，R
    θJA
    =50°C/W
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    100
    μ
    s
    1ms
    1
    10ms
    100ms
    0.1
    T
    A
    = 25°C ， TJ = 150 ° C，V
    GS
    =10V
    R
    θJA
    = 50 ° C / W ，单脉冲
    1s
    DC
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    1000
    50
    75
    100
    125
    150
    TJ ，结温（ ° C）
    175
    MTBA5N10Q8
    CYStek产品规格

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