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MTBA5N10J3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MTBA5N10J3
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内容描述: N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET [N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 303 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET
规格。编号: C731J3
发行日期: 2009.07.07
修订日期:
页页次: 1/7
MTBA5N10J3
特点
低栅电荷
简单的驱动要求
无铅引脚镀层&无卤封装
BV
DSS
I
D
R
DSON (最大)
100V
10A
150mΩ
等效电路
MTBA5N10J3
概要
TO-252
G:门D:漏极
S:源
摹ð S
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
范围
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
C
=25°C
连续漏电流@ T
C
=100°C
漏电流脉冲
*1
雪崩电流
雪崩能量@ L = 0.1mH ,我
D
= 12A ,R
G
=25Ω
重复性雪崩能量@ L = 0.05mH
*2
总功率耗散@T
C
=25℃
总功率耗散@T
C
=100℃
工作结存储温度范围
注: * 1
.
脉冲宽度有限的最高结温
* 2 。占空比
1%
MTBA5N10J3
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
E
AR
Pd
TJ , TSTG
100
±30
10
7
40
12
7.2
3.6
35
15
-55~+175
V
A
mJ
W
°C
CYStek产品规格