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    MTBB0P10J3 参数 Datasheet PDF下载

    MTBB0P10J3图片预览
    型号： MTBB0P10J3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平增强型功率MOSFET [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 303 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号MTBB0P10J3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MTBB0P10J3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTBB0P10J3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MTBB0P10J3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MTBB0P10J3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MTBB0P10J3的Datasheet PDF文件第7页  
    CYStech电子股份有限公司
    推荐波峰焊条件
    产品
    无铅器件
    峰值温度
    260 +0/-5
    °C
    规格。编号： C732J3
    发行日期： 2009.07.07
    修订日期：
    页页次： 6/7
    焊接时间
    5 + 1 / -1秒
    红外回流焊推荐温度曲线
    廓特征
    的Sn -Pb共晶组件
    平均升温速率
    3 ° C /秒。
    （ Tsmax至TP）
    预热
    100°C
    ¡温度
    敏（T
    S
    分）
    ¡温度
    最大（T
    S
    MAX ）
    150°C
    - 时间（ TS
    民
    到TS
    最大
    )
    60-120秒
    时间保持高于：
    ¡温度
    (T
    L
    )
    183°C
    −
    时间（t
    L
    )
    60-150秒
    峰值温度（T
    P
    )
    240 +0/-5
    °C
    在5 ℃，实际峰值的时间
    10-30秒
    温度（Tp ）
    倾斜下降率
    6 ° C /秒。
    6分钟最多。
    25时
    °C
    峰值温度
    无铅封装
    3 ° C /秒。
    150°C
    200°C
    60-180秒
    217°C
    60-150秒
    260 +0/-5
    °C
    20-40秒
    6 ° C /秒。
    最多8分钟。
    注：所有温度是指在封装的顶面，在封装体的表面进行测量。
    MTBB0P10J3
    CYStek产品规格

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