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    MTC8402S6R 参数 Datasheet PDF下载

    MTC8402S6R图片预览
    型号： MTC8402S6R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N和P沟道逻辑电平增强模式MOSFET [N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 356 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MTC8402S6R的Datasheet PDF文件第9页  
    CYStech电子股份有限公司
    N和P沟道逻辑电平增强模式MOSFET
    规格。编号： C888S6R
    发行日期： 2012年12月24日
    修订日期：
    页页次： 1月12日
    MTC8402S6R
    特点
    •ESD保护
    •高开关速度
    •低电压驱动
    = Pb-Free包装
    BV
    DSS
    I
    D
    R
    DSON
    （典型值） @V
    GS
    =(-)10V
    R
    DSON
    （典型值） @V
    GS
    =(-)5V
    N沟道
    60V
    0.3A
    1.6Ω
    0.8Ω
    P沟道
    -50V
    -0.18A
    5Ω
    6Ω
    等效电路
    MTC8402S6R
    概要
    SOT-363R
    Tr1
    Tr2
    以下特征同时适用于Tr1和Tr2
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    参数
    漏源击穿电压
    栅源电压
    连续漏电流@T
    A
    =25
    °C,
    V
    GS
    =10V(-10V)
    连续漏电流@T
    A
    =70
    °C,
    V
    GS
    =10V(-10V)
    漏电流脉冲
    （注1 ）
    功耗@T
    A
    =25°C
    功耗@T
    A
    =70°C
    工作结存储温度范围
    注：1，脉冲宽度有限的最高结温。
    2.脉冲width≤ 300μS ，占空比cycle≤2 ％ 。
    3.表面安装在FR-4板， t≤5s的最小焊盘。
    MTC8402S6R
    CYStek产品规格
    符号
    BV
    DSS
    V
    GS
    I
    D
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    TJ ; TSTG
    范围
    N沟道P沟道
    60
    -55
    ±20
    0.3
    0.24
    1.2
    0.30
    0.18
    -55~+150
    ±20
    -0.18
    -0.14
    -0.8
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C

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