MTDK3S6R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTDK3S6R
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内容描述：	ESD保护的N沟道MOSFET [ESD protected N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 230 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

ESD保护的N沟道MOSFET

规格。编号： C447S6R

发行日期： 2009.06.03

修订日期：

页页次： 1/6

MTDK3S6R

描述

•低电压驱动， 1.8V

•易于并联使用

•高开关速度

•ESD保护器件

= Pb-Free包装

DSS

DSON

20V

100mA

3Ω

符号

MTDK3S6R

概要

SOT-363

Tr1

TR 2

以下特征同时适用于Tr1和Tr2

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲（T

=25°C)

总功耗

ESD敏感性

工作结存储温度范围

热阻，结到环境

注： * 1 。脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤2%

* 2 。每个元素为200mW不得超过

* 3 。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF电容

符号

DSS

RTH ， JA

范围

±8

100

400

300

350

-55~+150

415

单位

°C

° C / W

MTDK3S6R

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