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MTDN7002ZHS6R 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MTDN7002ZHS6R
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内容描述: n沟道MOSFET (双晶体管) [N-CHANNEL MOSFET (dual transistors)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 258 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
N沟道MOSFET
(双晶体管)
规格。编号: C320S6R
发行日期: 2007.11.07
修订日期:
页页次: 1月7日
MTDN7002ZHS6R
特点
•低导通电阻
•高ESD能力
•高开关速度
•低电压驱动( 4V )
•易于设计的驱动电路
•易于并联使用
= Pb-Free包装
等效电路
MTDN7002ZHS6R
概要
SOT-363R
Tr1
Tr2
以下特征同时适用于Tr1和Tr2
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
范围
单位
漏源电压
栅源电压
漏电流
反向漏电流
功耗
连续
脉冲
连续
脉冲
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
Pd
Tj
TSTG
60
±20
115
700
115
700
1250
150
-55~+150
(注1 )
(注1 )
(注3)
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
300(total)
(注2 )
ESD敏感性
结温
储存温度
注: 1.脉冲测试,脉冲width≤300μs , duty≤2 %
2
。每个元素为200mW不得超过
.
V
°C
°C
3.人体模型, 1.5kΩ的串联100pF电容
MTDN7002ZHS6R
CYStek产品规格