MTE1K8N25KM3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTE1K8N25KM3
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 296 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C929M3

发行日期： 2013年8月11日

修订日期：

页页次： 1/8

MTE1K8N25KM3

特点

•

低栅电荷

•

简单的驱动要求

•

无铅引脚镀层&无卤封装

•

ESD保护

DSS

DS （ ON）

= 10V ，我

=0.5A

DS （ ON）

= 10V ，我

=1A

DS （ ON）

= 10V ，我

=2A

DS （ ON）

= 6V ，我

=0.5A

250V

1.33Ω(typ)

1.4Ω(typ)

1.63Ω(typ)

1.35Ω(typ)

等效电路

MTE1K8N25KM3

概要

SOT-89

G：门

D：漏

S：源

GD ð S

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

= 25 ° C，V

=10V

连续漏电流@ T

= 70℃ ，V

=10V

漏电流脉冲

总功率耗散@T

=25℃

ESD敏感性

工作结存储温度范围

注： * 1

脉冲宽度有限的最高结温。

TJ ， TSTG

250

±20

0.8

2000

-55~+150

°C

* 2 。当该装置是表面安装在1平方英寸的FR-4基板的铜垫与2盎司铜。

* 3 。人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。

MTE1K8N25KM3

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