MTE65N20F3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTE65N20F3
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 289 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C872F3

发行日期： 2012年12月26日

修订日期：

页页次： 1/9

MTE65N20F3

特点

•

低栅电荷

•

简单的驱动要求

•

无铅镀铅包

DSS

DSON （ TYP ）

= 10V ，我

=11A

= 6V ，我

=5A

200V

33A

61mΩ

66mΩ

等效电路

MTE65N20F3

概要

TO-263

G：门

S：源

D：漏

ð S

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

= 25 ° C，V

=10V

连续漏电流@ T

= 100℃ ，V

=10V

漏电流脉冲

雪崩电流

雪崩能量@ L = 1.6mH ，我

= 20A ，R

=25Ω

重复性雪崩能量@ L = 0.1mH

（注2 ）

总功率耗散@T

=25℃

总功率耗散@T

=25℃

工作结存储温度范围

注： * 1

脉冲宽度有限的最高结温

* 2 。占空比

≤

TJ ， TSTG

200

±20

320

4.6

168

3.75

-55~+175

°C

MTE65N20F3

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