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    MTEA0N10J3 参数 Datasheet PDF下载

    MTEA0N10J3图片预览
    型号： MTEA0N10J3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 327 K
    品牌： CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
     浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MTEA0N10J3的Datasheet PDF文件第9页  
    CYStech电子股份有限公司
    N沟道增强型功率MOSFET
    规格。编号： C871J3
    发行日期： 2013年1月3日
    修订日期：
    页页次： 1/10
    MTEA0N10J3
    特点
    •
    低栅电荷
    •
    简单的驱动要求
    •
    无铅镀铅包
    BV
    DSS
    I
    D
    R
    DSON （ TYP ）
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =12A
    V
    GS
    = 6V ，我
    D
    =10A
    100V
    16A
    83mΩ
    100mΩ
    等效电路
    MTEA0N10J3
    概要
    TO-252AB
    TO-252AA
    G：门
    S：源
    D：漏
    摹ð S
    G
    ð S
    绝对最大额定值
    (T
    C
    = 25 ℃，除非另有说明）
    参数
    符号
    范围
    单位
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流@ V
    GS
    = 10V ，T
    C
    =25°C
    （注1 ）
    连续漏电流@ V
    GS
    = 10V ，T
    C
    =100°C
    （注1 ）
    连续漏电流@ V
    GS
    = 10V ，T
    A
    =25°C
    （注2 ）
    连续漏电流@ V
    GS
    = 10V ，T
    A
    =100°C
    （注2 ）
    漏电流脉冲
    （注3）
    雪崩电流
    （注3）
    雪崩能量@ L = 0.5mH ，我
    D
    = 11A ，R
    G
    =25Ω
    （注2 ）
    重复性雪崩能量@ L = 0.1mH
    （注3）
    总功率耗散@T
    C
    =25℃
    （注1 ）
    总功率耗散@T
    C
    =100℃
    （注1 ）
    总功率耗散@T
    A
    =25℃
    （注2 ）
    总功率耗散@T
    A
    =70℃
    （注2 ）
    工作结存储温度范围
    MTEA0N10J3
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    AS
    E
    AS
    E
    AR
    P
    D
    P
    帝斯曼
    TJ ， TSTG
    100
    ±20
    16
    11
    3.7
    2.3
    64
    11
    30
    6
    60
    30
    2.5
    1.6
    -55~+175
    V
    A
    mJ
    W
    °C
    CYStek产品规格

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