MTEE2N20J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTEE2N20J3
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 325 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C881J3

发行日期： 2012年12月14日

修订日期：

页页次： 1月10日

MTEE2N20J3

DSS

DS （ ON）

= 10V ，我

=2.9A

DS （ ON）

= 7V ，我

=1A

200V

4.5A

650毫欧（典型值）

590毫欧（典型值）

描述

该MTEE2N20J3是一个N沟道增强型MOSFET ，可提供设计具有最佳

结合快速开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。

该TO- 252包装普遍首选的所有商业工业应用。

特点

•

低导通电阻

•

简单的驱动要求

•

低栅电荷

•

快速开关特性

•

符合RoHS标准，无卤素封装

符号

MTEE2N20J3

概要

TO-252AB

TO-252AA

摹ð S

G：门D：漏极S：源

ð S

MTEE2N20J3

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