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MTN10N60FP 参数 Datasheet PDF下载

MTN10N60FP图片预览
型号: MTN10N60FP
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 690 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
特性(环境温度为25 ℃,除非另有规定)
符号
分钟。
典型值。
-
650
0.631
700
-
6.8
-
-
-
0.65
39
9.5
17.6
19
16
49
16
1882
170
20
-
-
-
352
2.9
马克斯。
-
-
-
-
4.0
-
±
100
25
250
0.75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
10
40
528
4.35
单位
V
V
V /°C的
V
V
S
nA
μA
μA
Ω
测试条件
STATIC
BV
DSS
600
BV
DSS
-
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
-
BV
DS
-
V
GS ( TH)
2.0
*G
FS
-
I
GSS
-
I
DSS
-
I
DSS
-
*R
DS ( ON)
-
动态
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
*t
D(上)
-
* TR
-
*t
D(关闭)
-
*t
f
-
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
*I
S
-
*I
SM
-
* TRR
-
*的Qrr
-
规格。编号: C406FP
发行日期: 2008.12.02
修订日期: 2009.04.20
页页次: 3/9
V
GS
=0, I
D
=250μA
V
GS
=0, I
D
= 250μA , TJ = 150
参考至25℃ ,我
D
=250μA
V
GS
=0, I
D
=10A
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
V
DS
= 15V ,我
D
=5A
V
GS
=
±
30
V
DS
=600V, V
GS
=0
V
DS
=480V, V
GS
= 0 , TJ = 125°C
V
GS
= 10V ,我
D
=6A
nC
I
D
= 10A ,V
DD
=300V, V
GS
=10V
V
DD
= 300V ,我
D
= 10A ,V
GS
=10V,
R
G
=9.1
Ω
ns
pF
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
A
ns
μC
I
S
= 10A ,V
GS
=0V
V
D
=V
G
=0, V
S
=1.3V
V
GS
=0, I
F
= 10A ,的di / dt = 100A / μs的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 %
订购信息
设备
MTN10N60FP
TO-220FP
(符合RoHS )
航运
50个/管, 20支/盒, 4盒/箱
记号
10N60
MTN10N60FP
CYStek产品规格