CYStech电子股份有限公司
30V N沟道增强型MOSFET
规格。编号: C429N3
发行日期: 2008.08.14
修订日期: 2009.02.09
页页次: 1月7日
MTN2306AN3
特点
•
V
DS
=30V
R
DS ( ON)
=35m
Ω
@V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
R
DS ( ON)
=50m
Ω
@V
GS
= 2.5V ,我
D
=2.6A
•
低导通电阻
•
低栅电荷
•
优异的热性能和电气性能
•
无铅封装
等效电路
MTN2306AN3
概要
SOT-23
D
G:门
S:源
D:漏
G
S
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
A
= 25 ° C,V
GS
=4.5V
(注3)
连续漏电流@ T
A
= 70℃ ,V
GS
=4.5V
(注3)
漏电流脉冲
(注1,2)
最大功率耗散@ T
A
=25℃
线性降额因子
热阻,结到环境
(注3)
工作结温和存储温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
R
TH , JA
TJ , TSTG
范围
30
±12
5
4
20
1.38
0.01
90
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
° C / W
°C
注:1,脉冲宽度有限的最高结温。
2.脉冲width≤ 300μS ,占空比cycle≤2 % 。
3.表面安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的铜垫时,
.
MTN2306AN3
CYStek产品规格