MTN2310N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN2310N3
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内容描述：	60V N沟道增强型MOSFET [60V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 514 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

60V N沟道增强型MOSFET

规格。编号： C393N3

发行日期： 2007.10.24

修订日期：

页页次： 1/6

MTN2310N3

特点

•

=60V

DS （ ON）

=90m

（最大值） @ V

= 10V ，我

=3A

DS （ ON）

=120m

（最大值） @ V

= 4.5V ，我

=2A

•

简单的驱动要求

•

封装尺寸小

符号

MTN2310N3

概要

SOT-23

G：门

S：源

D：漏

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@V

= 4.5V ，T

=25°C

（注3）

连续漏电流@V

= 4.5V ，T

=70°C

（注3）

漏电流脉冲

（注1,2 ）

最大功率耗散@ T

=25℃

线性降额因子

工作结温

储存温度

符号

TSTG

范围

±20

3.0

2.3

1.38

0.01

-55~+150

单位

W / ℃，

°C

注：1，脉冲宽度有限的最高结温。

2.脉冲width≤ 300μS ，占空比cycle≤2 ％。

3.表面安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜垫; 270

° C / W

安装在最小的铜垫时，

MTN2310N3

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