MTN2300N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN2300N3
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内容描述：	20V N沟道增强型MOSFET [20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 478 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

20V N沟道增强型MOSFET

规格。编号： C413N3

发行日期： 2007.07.05

修订日期：

页页次： 1/5

MTN2300N3

特点

•

=20V

DS （ ON）

=28m

= 4.5V ，我

=6A

DS （ ON）

=38m

= 2.5V ，我

=5.2A

•

低导通电阻

•

能够2.5V栅极驱动

•

优异的热性能和电气性能

•

紧凑，薄型SOT- 23封装

等效电路

MTN2300N3

概要

SOT-23

G：门

S：源

D：漏

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

=25°C

（注3）

连续漏电流@ T

=70°C

（注3）

漏电流脉冲

（注1,2）

最大功率耗散@ T

=25℃

线性降额因子

热阻，结到环境

工作结温和存储温度

注：1，脉冲宽度有限的最高结温。

2.脉冲width≤ 300μS ，占空比cycle≤2 ％。

3.表面安装在FR- 4电路板， t≤10sec 。

MTN2300N3

CYStek产品规格

符号

TH ， JA

TJ ， TSTG

范围

±8

4.8

1.25

0.01

100

-55~+150

单位

W / ℃，

° C / W

°C

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