MTN2310M3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN2310M3
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	60V N沟道增强型MOSFET [60V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 488 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

60V N沟道增强型MOSFET

规格。编号： C393M3

发行日期： 2007年5月28日

修订日期：

页页次： 1/6

MTN2310M3

特点

•

=60V

DS （ ON）

=90m

（最大值） @ V

= 10V ，我

=3A

DS （ ON）

=120m

（最大值） @ V

= 4.5V ，我

=2A

•

简单的驱动要求

•

封装尺寸小

符号

MTN2310M3

概要

SOT-89

G：门

S：源

D：漏

DG ð S

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

=25°C

（注3）

连续漏电流@ T

=70°C

（注3）

漏电流脉冲

（注1,2 ）

最大功率耗散@ T

=25℃

线性降额因子

工作结温

储存温度

注：1，脉冲宽度有限的最高结温。

2.脉冲width≤ 300μS ，占空比cycle≤2 ％。

3.表面安装在FR- 4电路板， t≤10sec 。

MTN2310M3

符号

TSTG

范围

±20

3.0

2.3

1.5

0.01

-55~+150

单位

W / ℃，

°C

CYStek产品规格

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案