MTN2510LJ3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN2510LJ3
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 323 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C741J3

发行日期： 2009.09.21

修订日期： 2012年12月13日

页页次： 1/9

MTN2510LJ3

特点

•

低栅电荷

•

简单的驱动要求

•

额定重复性雪崩

•

快速开关特性

•

符合RoHS标准的封装

DSS

DSON （ TYP ）

= 10V ，我

=30A

= 5V ，我

=20A

100V

50A

19mΩ

20mΩ

符号

MTN2510LJ3

概要

TO-252AB

TO-252AA

G：门

D：漏

S：源

摹ð S

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

= 25 ° C，V

=10V

连续漏电流@ T

= 100℃ ，V

=10V

漏电流脉冲

（注1 ）

雪崩电流

雪崩能量@ L = 0.1mH ，我

= 30A ，R

=25Ω

重复性雪崩能量@ L = 0.05mH

（注2 ）

=25°C

功耗

=100°C

工作结温和存储温度

注：1，脉冲宽度有限的最高结温

2.占空比

≤

MTN2510LJ3

TJ ， TSTG

100

±20

150

22.5

130

-55~+175

°C

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