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MTN2572J3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MTN2572J3
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 340 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
N沟道增强型功率MOSFET
规格。编号: C434J3
发行日期: 2008.12.24
修订日期: 2009.02.04
页页次: 1/7
MTN2572J3
特点
低栅电荷
简单的驱动要求
额定重复性雪崩
快速开关特性
符合RoHS标准的封装
BV
DSS
I
D
R
DS ( ON)
150V
36A
50mΩ
符号
MTN2572J3
概要
TO-252
G:门
D:漏
S:源
摹ð S
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
范围
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ,T
C
=25°C
连续漏电流@V
GS
= 10V ,T
C
=100°C
漏电流脉冲
(注1 )
雪崩电流
雪崩能量@ L = 0.1mH ,我
D
= 18A ,R
G
=25Ω
重复性雪崩能量@ L = 0.05mH
(注2 )
总功率耗散(T
C
=25℃)
线性降额因子
工作结温和存储温度
注:1,脉冲宽度有限的最高结温
2.占空比
1%
MTN2572J3
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
E
AR
Pd
TJ , TSTG
150
±30
36
22
120
18
16.2
8.1
50
0.32
-55~+175
V
A
mJ
W
W / ℃,
°C
CYStek产品规格