MTN3K14N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN3K14N3
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内容描述：	30V N沟道增强型MOSFET [30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 625 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

30V N沟道增强型MOSFET

规格。编号： C427N3

发行日期： 2008.05.16

修订日期：

页页次： 1/7

MTN3K14N3

特点

•

=30V

DS （ ON）

=39m

= 10V ，我

=2A

DS （ ON）

=57m

= 4.5V ，我

=2A

•

低导通电阻

•

高速：吨= 24ns ， TOFF = 19ns （典型值）（典型值）。

•

无铅封装

等效电路

MTN3K14N3

概要

SOT-23

G：门

S：源

D：漏

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

热阻，结到环境

工作结温和存储温度

符号

日，J -A

TJ ， TSTG

范围

±20

（注1 ）

（注2 & 3）

1.38

0.01

（注1 ）

-55 ~ +150

单位

W / ℃，

° C / W

°C

注： 1.表面安装在1平方英寸FR4电路板的铜垫;安装在最小的时候270 ° C / W 。铜垫

2.脉冲宽度有限的最高结温

3.脉冲width≤300μs ，值班cycle≤2 ％

MTN3K14N3

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