MTN7002N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN7002N3
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内容描述：	N沟道MOSFET [N-CHANNEL MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 189 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道MOSFET

规格。编号： C325N3

发行日期： 2002.12.18

修订日期： 2005年1月7日

页页次： 1/4

MTN7002N3

描述

•该MTN7002N3是一个N沟道增强型MOSFET 。

•无铅封装

符号

MTN7002N3

概要

SOT-23

G：门

S：源

D：漏

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

漏，栅极电压（R

=1MΩ)

栅源电压

连续漏电流（T

=25°C)

连续漏电流（T

=100°C)

漏电流脉冲（T

=25°C)

总功率耗散（T

=25°C)

总功率耗散（T

=25°C)

工作结温

储存温度

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

焊接温度， 10秒焊接

* 2 。脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤2%

MTN7002N3

CYStek产品规格

符号

DSS

DGR

TSTG

RTH ， JA

RTH ， JC

范围

±40

200

115

800

200

500

-55~+150

625

250

240

单位

°C

° C / W

°C

注： * 1 。封装的功耗，可能会导致在连续的漏极电流

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