MTN75N03J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN75N03J3
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 369 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

N沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C412J3

发行日期： 2007.07.05

修订日期： 2009.02.04

页页次： 1/7

MTN75N03J3

特点

•

低栅电荷

•

简单的驱动要求

•

额定重复性雪崩

•

快速开关特性

•

符合RoHS标准的封装

DSS

DSON

25V

75A

4.5mΩ

符号

MTN75N03J3

概要

TO-252

G：门

D：漏

S：源

摹ð S

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@V

= 4.5V ，T

=25°C

连续漏电流@V

= 4.5V ，T

=100°C

漏电流脉冲

总功率耗散（T

=25℃)

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩电流

工作结温和存储温度

注： * 1

脉冲宽度有限的安全工作区

* 2 。 TJ = 25 ° C，V

= 20V ， L = 0.1mH ，R

=25Ω, I

=10A

MTN75N03J3

TJ ， TSTG

±20

62.5

350 *1

0.75

400 *2

-55~+150

W / ℃，

°C

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