MTN8N70FP 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTN8N70FP
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	11 页 / 424 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

典型特征

典型的输出特性

静态漏源导通状态

电阻-R

DS （ ON）

(Ω)

15V

10V

2.5

1.5

0.5

-100

规格。编号： C727FP

发行日期： 2009.06.23

修订日期： 2012年10月8日

页页次： 4/11

静态漏源导通电阻与环境温度

漏电流 - 我

(A)

5.5V

=4.5V

=3.75A,

=10V

漏源电压-V

(V)

-50

100

环境温度 - 钽（℃）

150

静态漏源通态电阻与漏电流

漏电流与栅源电压

静态漏源导通状态

电阻-R

DS （ ON）

(Ω)

=10V

Ta=25°C

=30V

漏电流-I

D（上）

(A)

1.5

=10V

0.5

0.1

漏电流-I

(A)

100

栅源电压-V

(V)

体二极管正向电压的变化VS源

电流和温度

=0V

静态漏源通态电阻与栅源

电压

静态漏源导通状态

电阻-R

DS （ ON）

(Ω)

2.5

1.5

0.5

栅源电压-V

(V)

反向漏电流-I

(A)

Ta=25°C

=3.75A

100

Ta=150°C

Ta=25°C

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

源漏极电压-V

(V)

MTN8N70FP

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