MTP2301S3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTP2301S3
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内容描述：	20V P沟道增强型MOSFET [20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 309 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

20V P沟道增强型MOSFET

规格。编号： C322S3

发行日期： 2013年8月29日

修订日期： 2013年9月9日

页页次： 1/8

MTP2301S3

特点

•

先进的加工技术

•

对于超低导通电阻高密度电池设计

•

优异的热性能和电气性能

•

紧凑，薄型SOT- 323封装

•

无铅引脚电镀和无卤素封装

DSS

DSON （最大）

= -4.5V ，我

=-1.6A

DSON （最大）

= -2.5V ，我

=-1A

-20V

-1.6A

75mΩ(typ.)

113mΩ(typ.)

等效电路

MTP2301S3

概要

SOT-323

G：门

S：源

D：漏

订购信息

设备

MTP2301S3-0-T1-G

包

SOT-323

（无铅引脚电镀和无卤素封装）

航运

3000个/带卷&

MTP2301S3

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