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MTP2305N3 参数 Datasheet PDF下载

MTP2305N3图片预览
型号: MTP2305N3
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 528 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech电子股份有限公司
热性能
参数
热阻,结到环境
符号
RTH , JA
规格。编号: C417N3
发行日期: 2007年7月27日
修订日期:
页页次: 2/6
极限
90
单位
° C / W
注:表面安装在1平方英寸的铜垫FR- 4板, 270 ° C / W安装在最小的铜垫时。
电气特性(环境温度为25 ℃,除非另有规定)
符号
STATIC
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
分钟。
-20
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
-
-
-
-
-
-
-
-
9
740
167
126
5.9
3.6
32.4
2.6
10.6
2.32
3.68
-
27.7
22
马克斯。
-
-
-
±100
-1
-10
53
65
100
250
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
µA
µA
S
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250µA
参考至25℃ ,我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250µA
V
GS
=±12V, V
DS
=0
V
DS
=-20V, V
GS
=0
V
DS
=-16V, V
GS
= 0 , TJ = 70
°C
I
D
= -4.5A ,V
GS
=-10V
I
D
= -4.2A ,V
GS
=-4.5V
I
D
= -2.0A ,V
GS
=-2.5V
I
D
= -1.0A ,V
GS
=-1.8V
V
DS
= -5V ,我
D
=-2.8A
*R
DS ( ON)
*G
FS
动态
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
*t
D(上)
-
*t
r
-
*t
D(关闭)
-
*t
f
-
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
* TRR
-
*的Qrr
-
pF
V
DS
=-15V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
V
DS
= -15V ,我
D
= -4.2A ,V
GS
= -10V ,R
D
=3.6
Ω
,
R
G
=6
Ω
V
DS
= -16V ,我
D
= -4.2A ,V
GS
=-4.5V,
ns
nC
V
ns
nC
V
GS
= 0V时,我
SD
=-1.2A
I
S
= -4.2A ,V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300µs,
值班Cycle≤2 %
订购信息
设备
MTP2305N3
SOT-23
(无铅)
航运
3000个/带卷&
记号
2305
MTP2305N3
CYStek产品规格