MTP3403N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTP3403N3
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内容描述：	P沟道增强型MOSFET [P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 290 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

P沟道增强型MOSFET

规格。编号： C422N3

发行日期： 2007.10.16

修订日期：

页页次： 1/6

MTP3403N3

特点

•

=-30V

DS （ ON）

=75m

= -10V ，我

=-3A

DS （ ON）

=120m

= -4.5V ，我

=-2.6A

•

先进的加工技术

•

对于超低导通电阻高密度电池设计

•

低栅电荷

•

紧凑，薄型SOT- 23封装

•

无铅封装

等效电路

MTP3403N3

概要

SOT-23

G：门

S：源

D：漏

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@T

=25°C

（注1 ）

连续漏电流@T

=70°C

（注1 ）

漏电流脉冲

（注2 ）

最大功率耗散

线性降额因子

工作结温和存储温度

符号

TJ ， TSTG

范围

-30

±20

-3.7

-3.0

-12

1.38

0.01

-55~+150

单位

W / ℃，

°C

注： 1.表面安装在1平方英寸的铜垫FR- 4电路板，安装在最小的铜垫，当270 ° C / W 。

2.脉冲宽度有限的最高结温。

MTP3403N3

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