MTP6405N6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTP6405N6
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 358 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

P沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C386N6

发行日期： 2013年8月19日

修订日期： 2013年9月6日

页页次： 1/9

MTP6405N6

描述

DSS

DSON （最大）

= -10V ，我

=-5A

DSON （最大）

= -4.5V ，我

=-4A

-30V

-6.5A

24mΩ(typ.)

34mΩ(typ.)

该MTP6405N6是一个P沟道增强型MOSFET ，可提供设计具有最佳

结合快速开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。

采用SOT -26封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用。

特点

•

简单的驱动要求

•

低导通电阻

•

封装尺寸小

•

无铅镀铅包

等效电路

MTP6405N6

G：门

S：来源D：漏

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

=25

°C

=70

°C

=25

°C

=70

°C

符号

（注1 ）

漏电流脉冲

（注2,3）

=25

°C

=70

°C

总功耗

=25

°C

=70

°C

工作结温贮藏温度范围

TJ ， TSTG

范围

-30

±20

-8.2

-6.6

-6.5

-5.2

-30

3.2

2.1

1.25

-55~+150

单位

°C

MTP6405N6

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