CYStech电子股份有限公司
P沟道增强型MOSFET
规格。编号： C400G6
发行日期：二零一二年十二月二十零日
修订日期：
页页次： 1/9
MTP658G6
描述
BV
DSS
I
D
R
DSON
@V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
R
DSON
@V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.7A
R
DSON
@V
GS
= -4V ，我
D
=-3A
R
DSON
@V
GS
= -3V ，我
D
=-1.5A
-30V
-5.2A
39mΩ(typ.)
61mΩ(typ.)
69mΩ(typ.)
116mΩ(typ.)
该MTP658G6是一个P沟道增强型MOSFET ，可提供设计具有最佳
结合快速开关，坚固耐用的设备设计，低导通电阻和成本效益。
该TSOP -6封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用。
特点
•
简单的驱动要求
•
低导通电阻
•
封装尺寸小
•
无铅镀铅包
等效电路
MTP658G6
G：门S：来源D：漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= -4.5V ，T
A
=25
°C
（注1 ）
连续漏电流@ V
GS
= -4.5V ，T
A
=70
°C
（注1 ）
漏电流脉冲
（注2,3）
总功率耗散@ T
A
=25
°C
线性降额因子
工作结存储温度范围
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
Pd
TJ ; TSTG
R
θJA
R
θJC
范围
-30
±20
-5.2
-4.2
-30
1.6
0.013
-55~+150
78
25
单位
V
V
A
A
A
W
W /
°C
°C
° C / W
注： 1.Surface安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜焊盘。 156
℃
/安装在最小的铜垫当W 。
2.Pulse宽度有限的最高结温。
3.Pulse宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
MTP658G6
CYStek产品规格
CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
