MTP6679J3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MTP6679J3
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 363 K
品牌：	CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]

CYStech电子股份有限公司

P沟道增强型功率MOSFET

规格。编号： C419J3

发行日期： 2007.09.21

修订日期： 2009.02.04

页页次： 1/7

MTP6679J3

特点

•

单驱动要求

•

低导通电阻

•

快速开关特性

•

符合RoHS标准的封装

DSS

DSON

-30V

-50A

10mΩ

符号

MTP6679J3

概要

TO-252

G：门

D：漏

S：源

摹ð S

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

参数

符号

范围

单位

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@V

= -10V ，T

=25°C

连续漏电流@V

= -10V ，T

=100°C

漏电流脉冲

总功率耗散（T

=25℃)

线性降额因子

工作结温和存储温度

注： * 1

脉冲宽度有限的安全工作区

TJ ， TSTG

-30

±25

-50

-35

-180 *1

0.71

-55~+150

W / ℃，

°C

MTP6679J3

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