MMBD301
*低导通电压
*对于UHF和VHF探测器的应用
*也适用于其他一些快速切换
R
F
电子化的应用
*极低的少数载流子寿命 - 15ps （典型值）
*低反向漏 - IR = 13nAdc （典型值）
*非常低Capacitance-1.5pF(Max)@V=15VR
表面贴装肖特基
垒二极管
特点
A
L
2
B·S
1
V
3
TO P VIEW
G
机械数据
*案例。模压塑料
*终端：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
*极性：见下面图表
*重量： 0.008克（约）
*安装位置：任意
1
C
D
3
2
H
K
J
3
阴极
1
阳极
SOT-23
暗淡
民
最大
A
2.800 3.040
B
1.200 1.400
C
0.890 1.110
D
0.370 0.500
G
1.780 2.040
H
0.013 0.100
J
0.085 0.177
K
0.450 0.600
L
0.890 1.020
S
2.100 2.500
V
0.450 0.600
单位：mm外形尺寸
最大额定值
MMBD101
等级
反向电压
前向功率耗散
o
@ T A = 25
C
o
减免上述25
C
工作结温范围
存储温度范围
符号
VR
PF
价值
30
单位
伏
mW
毫瓦/
o
C
o
200
2.0
-55到+125
-55到+150
TJ
TSTG
C
o
C
器件标识
MMBD701
= 5H
电动
特征
（ T A = 25
C
除非另有说明）
o
特征
反向击穿电压
（ I R = 10 ，ADC）
总电容
（ V R = 15V， F = 1.0兆赫）图1中
反向漏
(V
R
= 25V ）图3
正向电压
（ I F = 10 MADC ）
Figure4
符号
V（ BR ）R
CT
IR
民
典型值
最大
单位
伏
30
0.9
13
1.5
200
pF
VF
VF
0.38
0.52
0.45
0.6
NADC
VDC
VDC
正向电压
（ I F = 10 MADC ）
Figure4
DAESAN [ DAESAN ELECTRONICS CORP. ]
