FE乌尔ES
2 0 - 600兆赫
高隔离度
40 dBm的三阶截取
不反光
TTL驱动程序
SMA连接器
型号
100C1285
PI N D IO D E S·P 5T
SP5T
3.50
±
0.3
.08
.08
J1
1.75
±
.03 1.586
1
5
+5V
GND
CONT
2 3 4
J2
3.336
J3
J4
J5
.093 DIA THRU
4孔
J1
J2
J3
J4
J5
50
Ω
50
Ω
50
Ω
50
Ω
50
Ω
J6
•
焊接端子
（ 7位）
•
•
•
SMA母
（ 6位）
部分
鉴定
.60
最大
.xx = .02
.xxx = .010
CONT 1
“1”
CONT 2
“0”
CONT 3
“0”
CONT 4
“0”
CONT 5
“0”
+ 5V GND
J6
摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM A NCE
ISO （ dB）的
I.L. （ dB）的
VSWR
参数
最小典型最大单位
20
175
TTL
600
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
负荷因子1
逻辑“0” =隔离
逻辑“ 1”=直通
VIH = 2.7 V
VIL = 0.5 V
20 - 200兆赫
200 - 350兆赫
350 - 600兆赫
20 - 200兆赫
200 - 600兆赫
TY PICA L PE RF Ø RM A N权证
一吨2 5
°C
1.6
2 .4
120
工作频率
直流电流
控制型
1.5
2.0
100
ISO
控制电流
插入损耗
高
低
1.4
1.6
80
隔离
1.3
1.2
60
80
60
1.2
0.8
40
一损失
1.1
0.4
20
VSWR
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
0.6
0.8
1.2
90
75
1.25/1
50
0.3
0.6
+65
+40
+13
100
-400
0.8
1.0
1.8
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
欧
微秒
纳秒
V
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
1.35/1
0.5
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
10％ / 90％或90 ％/ 10％的射频
射频功率
1.0
0
0
10
40
100
400
1000
操作
无损伤
频率（MHz）
工作温度
-55
+25
+10
+13
+30
+85
0.1分贝比较。低于40兆赫
0.1分贝比较。高于40 MHz的
TA
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
