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    100C1295 参数 Datasheet PDF下载

    100C1295图片预览
    型号： 100C1295
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高隔离PIN二极管SP5T [High Isolation PIN Diode SP5T]
    分类和应用： 二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 27 K
    品牌： DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
       
    FE乌尔ES
    15 - 1000兆赫
    2.4毫安， +15 VDC
    高隔离度
    +38 dBm的三阶截取
    不反光
    CMOS驱动器
    SMA连接器
    型号
    100C1295
    高隔离PIN二极管SP5T
    J1
    J2
    J3
    J4
    J5
    SP5T
    3.50
    ±
    0.3
    .08
    .08
    J1
    1.75
    ±
    .03 1.586
    1
    CONT
    2 3 4
    J6
    CONT
    5
    GND
    +V
    J2
    3.336
    J3
    J4
    J5
    .093 DIA THRU
    4孔
    50
    Ω
    50
    Ω
    50
    Ω
    50
    Ω
    50
    Ω
    •
    •
    •
    •
    SMA母
    （ 6位）
    CONT 1
    “1”
    部分
    鉴定
    CONT 2
    “0”
    CONT 3
    “0”
    J6
    CONT 4
    “0”
    CONT 5
    “0”
    +V
    GND
    .60
    最大
    摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM A NCE
    .xx = .02
    .xxx = .010
    参数
    工作频率
    直流电流
    最小典型最大单位
    15
    1000
    3
    CMOS
    兆赫
    mA
    条件
    在10 VDC电源
    至+15 VDC电源
    5号线
    逻辑“0” =隔离
    逻辑“ 1”=直通
    VIH = + V
    VIL = 0 V
    15 - 200兆赫
    200 - 500兆赫
    500 - 1000兆赫
    15 - 100兆赫
    100 - 200兆赫
    200 - 400兆赫
    400 - 800兆赫
    800 - 1000兆赫
    20 - 800兆赫
    15 - 1000兆赫
    50 ％对照，以90 ％/ 10％的射频
    90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
    峰值
    20兆赫
    87兆赫
    150兆赫
    20兆赫
    87兆赫
    150兆赫
    15 - 20 MHz的
    20 - 40 MHz的
    40 - 80 MHz的
    80 - 100兆赫
    TA
    I.L. （ dB）的
    ISO （ dB）的
    VSWR
    控制型
    典型IC AL PE RF Ø RM A N权证
    一吨25℃
    控制电流
    插入损耗
    高
    低
    ISO
    1.6
    1.2
    120
    1.5
    1.0
    100
    1.4
    0.8
    80
    一损失
    隔离
    1.3
    0.6
    60
    1.2
    0.4
    40
    90
    85
    75
    60
    50
    VSWR
    VSWR
    1.1
    0.2
    20
    1.0
    0
    0
    10
    40
    100
    400
    1000
    3000
    频率（MHz）
    阻抗
    开关速度
    过渡（上升/下降）时间
    开关
    （视频）
    瞬变
    截点
    2nd
    0.7
    0.9
    1.1
    97
    92
    81
    68
    60
    1.12/1
    1.15/1
    50
    1.5
    1
    +61
    +78
    +88
    +38
    +45
    +50
    ±10
    ±10
    0.9
    1.2
    1.5
    µA
    µA
    dB
    dB
    dB
    dB
    dB
    dB
    dB
    dB
    1.2/1
    1.5/1
    20
    欧
    微秒
    微秒
    V
    DBM
    DBM
    DBM
    DBM
    DBM
    DBM
    DBM
    DBM
    DBM
    DBM
    °C
    3rd
    射频功率
    操作
    工作温度
    -55
    +25
    +8
    +13
    +20
    +22
    +85
    DA I C Ò
    在D ü S T R I （E S）

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