FE乌尔ES
200 - 600兆赫
空间应用
气密封装
耐辐射， 100千拉德
表面贴装
型号
CAT580 54
砷化镓5条衰减器
5位
"1"
8分贝
CONT 5
14
部分
鉴定
.82
.100
典型值
.015
±.002
迪亚
14位
.19
.075
"0"
4分贝
CONT 4
13
"0"
2分贝
CONT 3
12
"0"
1分贝
CONT 2
11
"0"
0.5分贝
CONT 1
10
GND
9
+5V
8
8分贝
•
4分贝
•
•
•
•
2分贝
1分贝
•
0.5分贝
•
•
14
8
.50
1
7
.50
典型值
对比示范
彩珠
.xx = .02
.xxx = .010
1
IN / OUT
RF
•
•
•
•
•
•
5
GND
•
•
•
• •
2
GND
3
GND
4
GND
6
GND
7
输出/输入
RF
摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM A NCE
参数
I.L. （ dB）的
VSWR
最小典型最大单位
200
0.7
CMOS
600
2.0
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
5号线
逻辑“0” =直通
逻辑“1”=衰减
3 - 5伏
0 - 0.5伏特
与频率的关系
0.5, 1, 2, 4, 8
安泰信的+ 0.15分贝+ 3 ％
以dB为单位设置
- 安泰信的0.35分贝-3 ％
以dB为单位设置
TYPICA L P将ê的R F Ø ř MA ñ权证
一吨25℃
工作频率
直流电流
控制型
1.8
4.0
控制电流
插入损耗
插入损耗平坦度
衰减
一损失
1.4
高
低
1
1
1.71
0.5
0
1.6
3.0
±20
±20
2.5
±0.2
15.5
最低位
范围
准确性
2.0
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
平整度
1.2
1.0
VSWR
VSWR
阻抗
开关速度
3000
1.33/1
50
14
12
84
+56
+37
+12
+25
±0.2
1.6/1
50
dB
欧
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
°C
1.0
0
1
4
10
40
100
400
1000
频率（MHz）
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
+45
+34
射频功率
操作
无损伤
工作温度
0
非工作温度
-34
+10
+23
+65
+95
50％的控制信号
90 ％/ 10％的射频
10％ / 90％或90 ％/ 10％的射频
峰值
五十零分之七十○ MHz的输入
五十零分之三十五MHz的输入
0.1分贝压缩
TA
TA
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
版本A / ISS 。 1
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
