FE乌尔ES
1300年至1900年兆赫
22.5 ° LSB ， 337.5 °范围
集成耦合器REF通道
+45 dBm的三阶截取
ECL驱动器
可更换的SMA连接器
型号
Ç DP08 15
移相器， 4条
HDI
0.110垫板
J1
（输入）
.43
最大
2.20
GND
+5V
-5.2V
C1
C2
C1
C2
C1
C2
C1
C2
J3
（输出）
SOLDER TERM 。
（ 0.020 DIA 。 TYP。）
耦合器
移相器
4节
180°
22.5°
90°
45°
J2
（输出）
J1
位
0
位
3
位
1
位
2 J2
1.400
J3
部分鉴定
SMA母
3个地方
GND + 5V -5.2V
C1 C2
位
0
C1 C2
位
3
C1 C2
位
1
C1 C2
位
2
输入项。
网络方面，
典型
4名额
逻辑表
控制逻辑
C0 C1 C2
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
1
1
1
0
1
1
0
1
1
1
1
1
1
C3
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
相
状态
PS0
PS1
PS2
PS3
PS4
PS5
PS6
PS7
PS8
PS9
PS10
PS11
PS12
PS13
PS14
PS15
正相
移（ DEG）
0
22.5
45
67.5
90
112.5
135
157.5
180
202.5
225
247.5
270
292.5
315
337.5
逻辑1
C1 = -0.6V至-1.0V
C2 = -1.4V至-1.9V
逻辑0
C1 = -1.4V至-1.9V
C2 = -0.6V至-1.0V
摹ü AR ANT EE ð PE RF ORM A NCE
参数
工作频率
直流电流
控制型
控制电流
高
低
最小典型最大单位
1300
80
20
ECL
7.65
-7.65
8.5
-8.5
5.5
0.2
0.7
25
22.5
1900
115
30
兆赫
mA
mA
条件
在+5 VDC电源
在-5.2 VCD供应
4线路差动
看到逻辑表
C1 = -0.8 V， C2 = -1.65 V
C1 = -1.65 V， C2 = -0.8 V
在25℃下
在极端温度
端口之间J2 - J3或J3 - J2
插入损耗
J1 - J2和J1 - J3
I.L. （ dB）的
VSWR
TYPI CAL P ER ˚F Ø ř MA ñ CE
在25
°C
隔离
相移
之间的平衡
J1和J3
9.35
-9.35
6.5
0.5
1.0
20
最低位
范围
2.0
10
0
337.5
mA
mA
dB
dB
dB
dB
度
度
1.8
8
准确性
1.6
6
一损失
VSWR
输入
产量
1.4
4
VSWR
1.2
2
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
3rd
射频功率
操作
无损伤
1.2/1
1.2/1
50
210
20
140
+45
+20
+25
-55
+25
±5
±10
1.6/1
1.6/1
350
度
度
J2相对于J3减
PS
0
在f
0
22.5, 45, 90, 180
DEG以F
0
180相变
任相国
1.0
0
1.0
1.5
2.0
工作温度
+18
+23
+27
+71
欧
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
50％的电致化学发光，以90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
峰值
0.1分贝压缩
1.0分贝压缩
TA
频率（GHz ）
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
ř EV 。 - / I S秒。 1
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
