FE乌尔ES
30 - 500兆赫
30毫安， +5 VDC
0.5分贝LSB ， 63.5分贝范围
CMOS控制
对于外接式版本，请参阅100C01585
型号
ð A028 5
PIN二极管7段衰减器
7位
部分
鉴定
2.00最大
RF GND
GND RF
IN / OUT
IN / OUT
38
37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21
20
• • • • • • • • • • • • • • • •
32分贝
0.5分贝
1分贝
2分贝
4分贝
8分贝
16分贝
.20
.20
.018
±.002
迪亚
38景点
1.800
对比示范
彩珠
1
• •
•
•
1
19
+V
• •
•
•
• •
•
• •
•
••
• •
•
• •
•
•
• •
•
•
.100典型值
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
C5 GND地C6
C7 GND GND
"0"
"0" "0"
特区
4dB
8分贝16分贝
GND GND
C1 GND GND C2
C3 GND GND GND C4
"0" "0"
"0"
"1"
0.5分贝1分贝
2dB
32dB
.800
38
20
1.00最大
.xx = .02
.xxx = .010
保证性能
参数
I.L. （ dB）的
VSWR
最小典型最大单位
30
30
CMOS
500
50
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
7号线
逻辑“0” =直通
逻辑“1”=衰减
VIH = 2.7 V
VIL = 0.5 V
TYPI CAL P ER ˚F Ø ř MA ñ CE
在25℃下
工作频率
直流电流
控制型
1.5
10
控制电流
1.4
8
高
低
插入损耗
衰减
最低位
范围
4.2
0.5
0
40
-200
6.0
63.5
1.3
6
准确性
µA
µA
dB
dB
dB
dB
1.2
4
一损失
0.5, 1, 2, 4, 8, 16, 32
±
（ 0.15分贝+ 2 ％安泰信的。
以dB为单位的值设置）
≥1
dB
±
的0.05分贝+ 15 ％
安泰信。 - 分贝值<1分贝
1.1
2
VSWR
1.0
0
10
40
100
400
1000
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
射频功率
操作
无损伤
1.2/1
50
5.0
1
100
+18
-55
+25
1.35/1
20
欧
微秒
微秒
mV
DBM
DBM
°C
50 ％对照，以90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
0.1分贝压缩
TA
频率（MHz）
工作温度
+13
+20
+125
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
修订版H / ISS 。 1
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
