FE乌尔ES
10 - 1000兆赫
1毫安， +5 VDC
2分贝LSB ， 62分贝范围
38 nSec的开关速度
12 nSec的过渡时间
TTL控制
24引脚DIP
见DA0757的表面贴装版本
型号
DA 0857
砷化镓5条衰减器
5位
部分鉴定
RF
RF
IN / OUT GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND IN / OUT
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
1.27
•
.20
.20
•
•
•
•
• • •
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
• •
•
•
1.100
.100典型值
0.018 ± 0.002 DIA
24个地方
•
•
•
1
12
.600
24
13
.77
1
+5V
2
3
GND GND
4
5
6
N / C 32dB的2DB
"0"
"0"
7
4DB
"1"
8
9
10
11
12
8DB 16DB GND GND GND
"0"
"0"
N / C =无内部连接
对比示范
彩珠
.xx = .02
.xxx = .010
摹ü ARANT ê海关PE RF ORM ANCE
I.L. （ dB）的
VSWR
TYPIC AL PE的R F Ø ř MA ñ权证
在25
°C
参数
工作频率
直流电流
控制型
最小典型最大单位
10
1
TTL
1000
5
兆赫
mA
条件
在+5 VDC电源
5号线
逻辑“0” =直通
逻辑“1”=衰减
VIH = 3.0 V
VIL = 0.5 V
10 - 100兆赫
100 - 1000兆赫
2, 4, 8, 16, 32
±
（ 0.25分贝
±
2 ％安泰信的。
以dB为单位设定）
2.2
12.0
2.0
10.0
控制电流
插入损耗
衰减
高
低
1.8
8.0
最低位
范围
准确性
0
0
4.0
5.6
2
0
±40
±40
5.2
7.0
62
1.6
6.0
一损失
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
1.4
4.0
1.2
2.0
VSWR
VSWR
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
3rd
500 1000
3000
1.0
0
1
5
10
50
100
射频功率
操作
无损伤
1.2/1
50
32
18
215
+65
+44
+13
-55
+25
1.4/1
50
欧
纳秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
50％的TTL至90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
峰值
70兆赫/ 50 MHz的
35兆赫/ 50 MHz的
0.1分贝压缩
TA
频率（MHz）
工作温度
+10
+27
+125
DA I C Ò
在D ü S T R I （E S）
版本A / ISS 。 1
DAICO [ DAICO INDUSTRIES, INC. ]
